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제품 16

정밀함이
신뢰가 됩니다

측정이 곧 경쟁력입니다

정확한 측정, 믿을 수 있는 파트너

장비의 생명을
되살립니다

센서부터 진공까지, 믿고 맡기세요

멈추지 않는 공정, 아이에스티테크

정밀이 곧
신뢰입니다

작은 부품, 큰 안심

교정의 기준을 바꿉니다

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제품 1
Company Overview

회사 소개

CEO Message

(주)아이에스티테크를 방문해주셔서 감사합니다.
저희 홈페이지를 찾아주신 여러분께 진심으로 감사드립니다.
저희 회사는 전자 및 기계 관련 산업에서 온도 센서 제작, 수리 및 유량, 진공 센서 등의 수리와 교정을 전문으로 하고 있습니다.

저희 아이에스티테크는 설립 이래로 고객의 요구와 산업의 변화에 발맞추어 지속적인 연구와 기술 개발을 통해 최고의 품질과 서비스를 제공하는 데 주력해왔습니다.
저희 회사의 핵심 가치는 '품질', '원가 절감', '고객만족' 그리고 '고객중심'입니다. 이 네 가지 가치는 저희가 걸어온 길이자 앞으로 나아갈 방향을 제시합니다.

아이에스티테크의 모든 임직원은 전문성과 헌신으로 무장하고, 보다 나은 제품과 서비스를 제공하기 위해 끊임없이 노력하고 있습니다.
우리는 고객과 함께 성장하며, 상호 발전을 이루는 것을 목표로 하고 있습니다. 고객 여러분의 소중한 의견과 제안을 언제나 환영하며, 이를 통해 더욱 발전하는 아이에스티테크가 되겠습니다.

저희 회사는 앞으로도 기술 혁신과 품질 향상을 통해 고객의 신뢰를 얻고, 지속 가능한 성장을 실현해 나갈 것입니다.
앞으로도 많은 관심과 성원을 부탁드립니다.

감사합니다.

장 현 주 (주)아이에스티테크 대표이사
CEO
CTO
신제품 개발
제조 기술팀
생산 · 제조 · 수리
Field Service 지원
관리팀
인사 · 총무 · 회계
구매 · 자재관리
품질팀
품질관리 · 품질보증
ERP 업무
영업팀
국내영업 · 해외영업
영업지원
연구소
특허 업무 · 국책 과제
(주)아이에스티테크
📍
주소
경기도 오산시 독산성로 297-1 3층 (지곶동 24-8)
(지번) 지곶동 24-8 (우) 18102
☎️
📠
FAX
+82-31-372-8702
✉️
Business Area

사업 분야

반도체 공정 핵심 부품의 전문 제작·수리·교정 서비스를 제공합니다.

Thermocouple
THERMOCOUPLE
  • PROFILE, WAFER, SPIKE T/C 제작 및 수리
  • INDUSTRIAL T/C 제작
  • 교정서비스 제공
MFC
MFC
  • 수리, 개조, 교정서비스 제공
  • 중고 MFC 제작 및 수리
Vacuum Gauge
VACUUM GAUGE
  • V/G(Vacuum gauge) 수리, 개조, 교정
Management Policy

경영 방침

01
고객 중심 품질

고객 니즈에 맞춤화된 최고 품질의 T/C & Wafer T/C를 제작·제공합니다. 원자재 입고부터 완제품 출하까지 전 공정에 걸쳐 엄격한 품질 기준을 적용하며, 숙련된 기술 인력이 정밀 검사를 병행합니다. 자체 ERP 시스템으로 생산 및 수리 이력을 로트 단위까지 철저히 관리해 이력 추적성을 확보합니다. 이를 통해 고객사는 언제든 제품의 생산 배경과 품질 데이터를 신뢰하고 활용할 수 있습니다.

02
신속한 납기 대응

고객이 요청한 납기에 맞춰 신속하게 움직이는 대응 체계를 상시 운영합니다. 반도체 공정 특성상 발생하는 긴급 수리·교체 요청에는 별도의 긴급 대응(Emergency Delivery) 시스템을 가동해 최우선으로 처리합니다. 생산 일정과 재고 현황을 실시간으로 파악해 병목 없이 작업 순서를 조정하며, 진행 상황을 고객과 투명하게 공유합니다. 그 결과 예측 가능한 납기와 안정적인 공급을 동시에 보장합니다.

03
원가 경쟁력

클린룸 설비 투자와 정밀 계측 장비 도입을 통해 가격과 품질 두 마리 토끼를 동시에 잡는 경쟁력을 지속적으로 끌어올리고 있습니다. 핵심 부품에 대한 Spare Stock을 상시 확보해 자재 수급 지연으로 인한 납기 리스크와 비용 상승을 사전에 차단합니다. 공정 표준화와 생산성 개선 활동을 병행해 불필요한 손실을 줄이고 원가 구조를 최적화합니다. 이렇게 확보한 원가 경쟁력은 합리적인 가격으로 고객사에 그대로 환원됩니다.

04
지속적 서비스

판매·수리한 중고 제품에 대해서도 무상 Warranty 서비스를 제공하여 구매 이후의 만족까지 책임집니다. 고객사에 납품된 모든 제품은 시리얼 및 이력 데이터로 지속 관리되어, 사후 문의나 재교정 요청에도 신속하게 대응할 수 있습니다. 정기적인 사후 관리와 기술 상담을 통해 장비의 안정적인 가동을 함께 지원합니다. 이러한 지속적 서비스 체계는 일회성 거래를 넘어 고객과의 장기적인 신뢰 관계를 구축하는 밑바탕이 됩니다.

Our Products

제품 소개

아이에스티테크가 제작·수리·교정하는 주요 제품 라인업입니다.

SCREW TYPE TC
SCREW TYPE TC
특징
  • 간편한 설치/체결 — 센서 끝 부분이 볼트 형태로 되어 있어, 측정 대상에 나사산이 있는 구멍이 있다면 볼트를 돌려 단단하게 체결할 수 있습니다.
  • 견고한 밀착 — 볼트 체결 방식을 통해 센서의 측정점(접점)을 측정 대상의 표면이나 내부에 강하게 밀착시킬 수 있어 안정적이고 정확한 온도 측정이 가능합니다.
  • 고정 안정성 — 진동이나 외부 충격이 있는 환경에서도 풀림 없이 안정적으로 고정되어 측정 위치 이탈을 방지합니다.
용도

K-type 스크류볼트 타입 열전대는 특정 지점에 센서를 확실하게 고정하여 온도를 정밀하게 측정해야 하는 다양한 산업 공정에 사용됩니다.

산업용 기계 및 설비
  • 금형, 다이캐스팅 기계 — 금속을 녹이거나 성형하는 과정에서 금형 자체의 온도를 직접 측정 및 제어하는 용도.
  • 히터 플레이트, 가열로 — 발열체의 표면 온도를 정밀하게 모니터링하고 제어하는 용도.
  • 압출기, 사출 성형기 — 플라스틱이나 고무 등을 녹여 성형하는 과정의 실린더, 배럴 등의 온도를 측정하는 용도.
  • HVAC (냉난방 및 공조 시스템) — 온도 제어 및 모니터링을 위한 센서로 활용.
  • 자동차 및 엔진 테스트 — 엔진 부품, 배기가스 계통 등의 고온 측정 및 모니터링 용도.
  • 연구 개발 — 실험 장비나 테스트 장치의 특정 지점 온도를 영구적으로 부착하여 측정하는 용도.
CHUCK HEATER用 T/C
CHUCK HEATER用 T/C
용도

반도체 웨이퍼 또는 디스플레이 기판을 가열하는 히터 척의 온도를 정밀하게 측정 및 제어하는 것이 주된 목적입니다.

  • 정밀 공정 온도 유지 — 증착(Deposition), 식각(Etching), 열처리(Annealing) 등의 공정이 진행될 때 균일하고 정확한 온도를 유지하여 공정의 성공률과 제품의 품질을 보장합니다.
  • 온도 피드백 제어 — 측정된 온도를 장비의 온도 컨트롤러(Temperature Controller)에 실시간으로 전송하여, 설정 온도(Set Point)를 벗어날 경우 히터의 출력을 조절하는 피드백 루프(Feedback Loop)의 핵심 센서 역할을 수행합니다.
  • 안전 및 보호 — 과도한 온도 상승을 감지하여 장비와 웨이퍼의 손상을 방지합니다.
특징

히터 척 온도 측정이라는 특수한 환경에 맞춰 설계된 구조적 특징을 가집니다.

구조적 특징
  • 긴 보호관 (Probe/Sheath) — 히터 척의 깊숙한 내부(웨이퍼와 가까운 위치)나 복잡한 장비 구조를 통과하여 측정 지점에 도달하기 위해 긴 형태를 가지며, 고온 및 진공 환경에서도 변형되거나 가스를 배출하지 않는 특수 스테인리스 스틸(Inconel, SUS316 등)로 제작됩니다.
  • 정밀 팁 (Tip) — 보호관 끝의 측정 지점(Hot Junction)이 매우 가늘거나 뾰족하게 설계되어 측정 대상(척 또는 웨이퍼 근처)에 신속하고 정확하게 접촉·삽입될 수 있으며, 일부 제품은 빠른 응답 속도를 위해 접지형(Grounded) 방식으로 제작되기도 합니다.
성능적 특징
  • 빠른 응답 속도 — 반도체 공정은 매우 짧은 시간 내에 온도가 정확히 설정되어야 하므로, 온도 변화에 신속하게 반응할 수 있도록 센서 질량이 최소화됩니다.
  • 높은 정확도 — 웨이퍼의 온도 균일성이 제품 수율에 직결되므로, 매우 작은 온도 편차까지도 정확하게 측정할 수 있는 정밀도가 요구됩니다.
  • 높은 신뢰성 및 내구성 — 공정 장비의 가동률이 중요하기 때문에, 장기간 고온 환경에서 반복 사용해도 특성 변화가 적고 수명이 길어야 합니다.
B TYPE PROBE TC
B TYPE PROBE TC
사용 용도
  • 금속 가공 및 주조 공정
  • 고온 환경에서의 온도 측정
  • 열처리 및 열분석 장비
  • 발전소 및 화학 공정
온도 사양
  • 측정 범위 — 100°C ~ 1700°C
  • 정확도 — ±0.5%
사용 장비
  • 산업용 오븐
  • 열처리 기계
  • 고온 실험 장비
  • 기타 온도 측정이 필요한 장비
KE PYRO PROFILE TC
KE PYRO PROFILE TC
특징

반도체 확산(Diffusion) 공정용 열전대(T/C)로 KOKUSAI ELECTRIC(KE) 사의 장비 내에 사용됩니다. 확산 공정은 반도체 웨이퍼에 불순물을 주입하여 전기적 특성을 부여하는 핵심 단계로, 매우 정밀한 온도 제어가 필수적이며 이 때문에 다음과 같은 특징을 가집니다.

  • 고온 내구성 — 확산 공정은 700°C 이상의 고온에서 진행되므로, T/C는 고온에서 장시간 안정적으로 작동해야 하며 이를 위해 세라믹·SIC·QUARTZ 튜브가 사용됩니다.
  • 고정밀도 — 반도체 공정의 수율을 위해 온도를 ±1°C 이내의 오차로 정밀하게 측정해야 합니다.
  • 높은 반응 속도 — 온도 변화를 빠르게 감지하여 장비 제어 시스템에 정확한 피드백을 제공해야 합니다.
  • 오염 방지 — 웨이퍼에 미치는 영향을 최소화하기 위해 공정 챔버 내에서 불순물을 발생시키지 않는 재료로 제작됩니다.
  • 특수 형태 — 장비 내 특정 위치에 정확하게 삽입될 수 있도록 맞춤형으로 제작됩니다.
  • 온도 대역 — 주로 500°C에서 1,200°C 범위의 고온을 측정하는 데 사용되며, 공정 종류에 따라 측정 온도는 달라질 수 있지만 확산 공정의 일반적인 온도 범위에 맞춰 제작됩니다.
R-Type 열전대 특징

R-Type 열전대(T/C)는 백금(Platinum)을 기반으로 한 고온 측정용 열전대로, 다음과 같은 주요 특징을 가집니다.

  • 높은 안정성 및 정확도 — 백금-로듐 합금으로 제작되어 매우 높은 온도 안정성과 정확도를 자랑하며, 장시간 고온에 노출되어도 안정적인 출력을 유지하므로 반도체 및 유리 제조와 같이 정밀한 온도 제어가 중요한 산업 분야에서 표준 온도계로 사용됩니다.
  • 측정 가능 온도 대역 — 일반적으로 0°C ~ 1,600°C의 넓은 온도 범위를 측정할 수 있으며, 연속사용온도 1,200°C 이내의 초고온 환경에서 높은 신뢰성을 보입니다.
  • 내부식성 및 내산화성 — 백금과 로듐은 화학적으로 안정적이며 산화에 강하여, 산화성 분위기나 부식성 가스가 존재하는 환경에서도 사용하기에 적합합니다.
  • 높은 가격 — 백금과 로듐은 희소 금속으로 J, K, T-Type 등 일반적인 열전대에 비해 가격이 매우 높아, 정밀도와 신뢰성이 절대적으로 요구되는 특정 용도에 주로 사용됩니다.
  • 낮은 출력 — 다른 열전대에 비해 mV(밀리볼트) 출력이 낮아, 이러한 귀금속(Pt,Rh) 열전대의 정밀한 측정을 위해서는 고성능의 측정 장비가 필요합니다.
CERAMIC TUBE,INSULATOR
CERAMIC TUBE,INSULATOR
특징
  • 재질 — 고순도 알루미나(Al₂O₃)로 제작되어 내열성, 절연성, 기계적 강도가 우수합니다.
  • 온도 허용 범위 — 최대 1650°C까지 견딜 수 있어 고온 환경에 적합합니다.
  • 적용 분야 — 센서 보호, 전기 절연, 진공 시스템, 고온로 부품, 열전대 절연 등 다양한 산업에 사용됩니다.
  • 커스터마이징 가능 — 길이, 외경, 홀 수 등 주문 제작이 가능합니다.
제품명외경 Ø(mm)길이 L(mm)홀 수구조 형태적용 분야
Multi-Bore Insulator Tube3 ~ 25주문 제작 ~ 15002~4다공형 원통열전대 절연
Single Bore Protection Tube6 ~ 50주문 제작 ~ 1500-단일 관형센서 보호
Closed-End Tube6 ~ 2550 ~ 1000-밀폐형고온 센서 하우징
Threaded Tube8 ~ 30주문 제작-나사형커스텀 조립
Thermocouple Beads5 ~ 2010 ~ 501구슬형센서 헤드
Insulating Rods2 ~ 1050 ~ 1000-고형봉전기 절연
Spacer RingsØ20 ~ Ø605 ~ 20-링형고온로 부품
Ceramic BushingsØ10 ~ Ø4010 ~ 100-부싱형진공 피드스루
High Voltage InsulatorsØ20 ~ Ø100주문 제작-절연체고전압 전력 시스템
Capillary TubeØ1 ~ Ø550 ~ 500-모세관형유체 샘플링
Flanged TubeØ15 ~ Ø50주문 제작-플랜지형기계적 고정
KE PROFILE T/C
KE PROFILE T/C
특징

반도체 확산(Diffusion) 공정용 열전대(T/C)로 KOKUSAI ELECTRIC(KE) 사의 장비 내에 사용됩니다. 확산 공정은 반도체 웨이퍼에 불순물을 주입하여 전기적 특성을 부여하는 핵심 단계로, 매우 정밀한 온도 제어가 필수적이며 이 때문에 다음과 같은 특징을 가집니다.

  • 고온 내구성 — 확산 공정은 700°C 이상의 고온에서 진행되므로, T/C는 고온에서 장시간 안정적으로 작동해야 하며 이를 위해 세라믹·SIC·QUARTZ 튜브가 사용됩니다.
  • 고정밀도 — 반도체 공정의 수율을 위해 온도를 ±1°C 이내의 오차로 정밀하게 측정해야 합니다.
  • 높은 반응 속도 — 온도 변화를 빠르게 감지하여 장비 제어 시스템에 정확한 피드백을 제공해야 합니다.
  • 오염 방지 — 웨이퍼에 미치는 영향을 최소화하기 위해 공정 챔버 내에서 불순물을 발생시키지 않는 재료로 제작됩니다.
  • 특수 형태 — 장비 내 특정 위치에 정확하게 삽입될 수 있도록 맞춤형으로 제작됩니다.
  • 온도 대역 — 주로 500°C에서 1,200°C 범위의 고온을 측정하는 데 사용되며, 공정 종류에 따라 측정 온도는 달라질 수 있지만 확산 공정의 일반적인 온도 범위에 맞춰 제작됩니다.
R-Type 열전대 특징

R-Type 열전대(T/C)는 백금(Platinum)을 기반으로 한 고온 측정용 열전대로, 다음과 같은 주요 특징을 가집니다.

  • 높은 안정성 및 정확도 — 백금-로듐 합금으로 제작되어 매우 높은 온도 안정성과 정확도를 자랑하며, 장시간 고온에 노출되어도 안정적인 출력을 유지하므로 반도체 및 유리 제조와 같이 정밀한 온도 제어가 중요한 산업 분야에서 표준 온도계로 사용됩니다.
  • 측정 가능 온도 대역 — 일반적으로 0°C ~ 1,600°C의 넓은 온도 범위를 측정할 수 있으며, 연속사용온도 1,200°C 이내의 초고온 환경에서 높은 신뢰성을 보입니다.
  • 내부식성 및 내산화성 — 백금과 로듐은 화학적으로 안정적이며 산화에 강하여, 산화성 분위기나 부식성 가스가 존재하는 환경에서도 사용하기에 적합합니다.
  • 높은 가격 — 백금과 로듐은 희소 금속으로 J, K, T-Type 등 일반적인 열전대에 비해 가격이 매우 높아, 정밀도와 신뢰성이 절대적으로 요구되는 특정 용도에 주로 사용됩니다.
  • 낮은 출력 — 다른 열전대에 비해 mV(밀리볼트) 출력이 낮아, 이러한 귀금속(Pt,Rh) 열전대의 정밀한 측정을 위해서는 고성능의 측정 장비가 필요합니다.
TEL SPIKE T/C
TEL SPIKE T/C
개요

TOKYO ELECTRON(TEL) 사의 장비 사양에 맞춰 제작된 SPIKE T/C입니다. 반도체 제작 장비, 특히 고온 처리 공정(diffusion furnace, annealing furnace, oxidation furnace 등)에서는 매우 정확하고 안정적인 온도 제어가 필수이며, 해당 제품은 이러한 목적으로 만들어졌습니다.

디퓨전 장비 내부에 삽입되는 스파이크(Spike) thermocouple 형태로 특정 지점의 온도를 측정하는 방식으로 쓰이며, TOKYO ELECTRON사의 디퓨전 퍼니스 장비 내부에서 실제 공정 온도를 실시간 감지하거나 교정(Calibration) 목적으로 사용되는 고온용 Thermocouple입니다.

내열성이 높은 보호튜브와 빠른 응답성의 와이어 구조로 되어 있어, 장비 내 온도 안정성 확보 및 생산 수율 향상에 핵심적인 역할을 수행합니다.

용도
용도설명
디퓨전 퍼니스 내부 온도 모니터링산화(Oxidation), 확산(Diffusion), 어닐링(Annealing) 공정에서 정확한 프로세스 온도 측정
Recipe 온도 검증 및 캘리브레이션(Calibration)장비 내 온도 편차(Temperature Uniformity) 점검 및 보정 작업
공정 안정성 유지장비 오차나 노후화로 인한 온도 드리프트 감지 및 예방 정비용
적용 장비
  • Diffusion Furnace
  • CVD 장비 (Chemical Vapor Deposition) — 고온, 반응성 가스를 사용하는 공정 내 온도 측정용
  • 산화 / 열산화 장비 (Oxidation Furnace, Annealing Furnace) — 반도체 웨이퍼의 산화막 형성 또는 열처리 공정
  • 수평 또는 수직 구조 반도체 열처리 장비 — 장비 구조에 따라 수직 프로브, 수평 삽입 방식이 사용됨
  • 다른 반도체 처리 장비 — ALD, LPCVD 등에서 온도 분포 제어 및 모니터링
KE SPIKE T/C
KE SPIKE T/C
특징

KOKUSAI ELECTRIC사의 장비 사양에 맞춰 제작된 SPIKE T/C입니다. 반도체 제작 장비, 특히 고온 처리 공정(diffusion furnace, annealing furnace, oxidation furnace 등)에서는 매우 정확하고 안정적인 온도 제어가 필수이며, 해당 제품은 이러한 목적으로 만들어졌습니다.

디퓨전 장비 내부에 삽입되는 스파이크(Spike) thermocouple 형태로 특정 지점의 온도를 측정하는 방식으로 쓰이며, KOKUSAI ELECTRIC사의 디퓨전 퍼니스 장비 내부에서 실제 공정 온도를 실시간 감지하거나 교정(Calibration) 목적으로 사용되는 고온용 Thermocouple입니다.

내열성이 높은 보호튜브와 빠른 응답성의 와이어 구조로 되어 있어, 장비 내 온도 안정성 확보 및 생산 수율 향상에 핵심적인 역할을 수행합니다.

용도
용도설명
디퓨전 퍼니스 내부 온도 모니터링산화(Oxidation), 확산(Diffusion), 어닐링(Annealing) 공정에서 정확한 프로세스 온도 측정
Recipe 온도 검증 및 캘리브레이션(Calibration)장비 내 온도 편차(Temperature Uniformity) 점검 및 보정 작업
공정 안정성 유지장비 오차나 노후화로 인한 온도 드리프트 감지 및 예방 정비용
적용 장비
  • Diffusion Furnace
  • CVD 장비 (Chemical Vapor Deposition) — 고온, 반응성 가스를 사용하는 공정 내 온도 측정용
  • 산화 / 열산화 장비 (Oxidation Furnace, Annealing Furnace) — 반도체 웨이퍼의 산화막 형성 또는 열처리 공정
  • 수평 또는 수직 구조 반도체 열처리 장비 — 장비 구조에 따라 수직 프로브, 수평 삽입 방식이 사용됨
  • 다른 반도체 처리 장비 — ALD, LPCVD 등에서 온도 분포 제어 및 모니터링
표면온도측정센서
표면온도측정센서
개요

표면온도 측정용 열전대는 이름에서 알 수 있듯이, 물체의 표면 온도를 빠르고 정확하게 측정하는 데 특화된 제품입니다.

일반적인 열전대와 달리 측정 접점 부분이 평평하거나 유연하게 설계되어 측정 대상의 표면에 밀착되도록 제작된 것이 특징입니다.

표면온도측정센서 특징
  • 설계 — 측정 접점(센서 헤드 부분)이 평면, 패치(Patch) 형태, 또는 유연한 형태로 설계되어 있어 측정 대상의 곡면이나 평면에 최대한 접촉 면적을 넓혀 측정 정확도를 높입니다.
  • 빠른 응답 속도 — 표면에 밀착되도록 하기 위해 열 질량(Thermal Mass)을 최소화하여 온도 변화에 대한 반응 속도가 빠릅니다.
  • 다양한 부착 방식 — 자석식(Ferrous Metal Surface용), 접착식(Self-Adhesive), 볼트-온(Bolt-On) 등 다양한 형태로 제작되어 현장 환경에 맞게 부착할 수 있습니다.
제품의 용도
산업 현장
  • 금형, 롤러, 파이프 표면 — 사출 성형, 압출 공정, 열처리 공정 등에서 금형이나 설비의 표면 온도 모니터링.
  • 히터, 열판(Hot Plate) — 난방 장치 또는 가열 기기의 표면 온도 제어 및 확인.
  • 배관 및 탱크 표면 — 유체나 가스의 온도가 아닌, 외부 벽면 온도를 통한 공정 모니터링.
전기/전자 분야
  • 모터, 변압기, 전자기기 부품 표면 — 과열 방지 및 성능 테스트를 위한 온도 측정.
연구 및 개발(R&D)
  • 재료 실험 — 다양한 재료의 열적 특성 분석을 위한 표면 온도 변화 측정.
HVAC/자동차
  • 환기 덕트 표면, 엔진 부품 표면 — 시스템 성능 분석을 위한 온도 측정.
Epi Thermocouple
Epi Thermocouple
개요

ASM과 Applied Materials(AMAT) 사의 Epitaxy(Epi) 공정에 사용되는 열전대(Thermocouple, T/C) 센서입니다.

Epi (Epitaxy) 공정의 이해

에피택시(Epitaxy, Epi)는 단결정 기판 위에 새로운 단결정 박막을 성장시키는 공정을 말합니다.

  • 정의 — 기판(웨이퍼) 위에 결정 구조와 방향이 기판과 일치하는 얇은 층(박막)을 화학적 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 등의 방법으로 성장시키는 기술입니다.
  • 고품질 결정층 — 트랜지스터나 다이오드와 같은 소자를 만들 고품질의 실리콘 또는 실리콘 게르마늄(SiGe) 층을 형성합니다.
  • 도핑 조절 — 기판과 다른 농도의 도핑이 필요한 층을 정확하게 성장시켜 소자의 전기적 특성을 조절합니다.
  • 핵심 조건 — 성공적인 Epi 공정을 위해서는 정확하고 균일한 온도 제어가 필수적이며, 온도가 조금만 변해도 성장 속도, 성장층의 균일성, 결정 결함 등에 치명적인 영향을 미칩니다.
Epi 공정용 T/C의 특징 및 용도

사진 속의 투명한 튜브 형태는 주로 고온에 강하고 화학적으로 안정적인 쿼츠(Quartz, 석영)로 만들어진 보호 튜브 안에 T/C 와이어가 삽입된 형태입니다. 이 T/C 센서는 Epi 반응로(Reactor) 내부의 온도를 정밀하게 측정하는 데 사용됩니다.

구분주요 특징T/C의 용도
특징높은 정밀도 — Epi 공정의 특성상 ±1°C 이내의 정밀한 온도 측정온도 피드백 — 반응로 내부의 실제 웨이퍼나 서셉터(Susceptor, 웨이퍼 지지대) 온도를 측정하여, 히터(Heater)에 온도 제어 신호를 보내 일정한 온도를 유지하게 합니다.
재질내화학성/내열성 — SiH4(실란) 등 반응 가스와 1000°C 이상의 고온 환경에서 견딜 수 있도록 쿼츠 튜브로 sensor가 보호됩니다.공정 안정성 — 공정 조건(온도)의 변화를 실시간으로 감지하여 균일한 박막 성장을 가능하게 합니다.
형태긴 튜브 형태로, 반응로 내부까지 깊숙이 삽입됩니다.수명 및 교체 — 고온과 부식성 가스 환경 때문에 소모품으로 분류되며, 주기적인 교체가 필요합니다.
ASM (Applied Materials) 용 T/C
  • 적용 장비 — ASM의 대표적인 Epi 장비인 Epsilon 시리즈 등에 사용됩니다.
  • 특징 — ASM 장비는 다양한 웨이퍼 사이즈와 공정 요구 사항에 맞춰 설계되므로, T/C 역시 해당 반응로 구조(예: 서셉터의 형태)에 정확하게 맞도록 설계됩니다. 고온 안정성과 긴 수명에 중점을 둔 제품이 많습니다.
Applied Materials (AMAT) 용 T/C
  • 적용 장비 — AMAT의 Epi 장비인 Centura Epi 또는 Producer Epi 플랫폼 등에 사용됩니다.
  • 특징 — AMAT 장비는 높은 생산성(Throughput)에 중점을 둔 경우가 많습니다. T/C는 빠른 온도 변화에 민감하게 반응하고, 장비의 복잡한 멀티-챔버 구조에 맞춰 정확한 위치에 삽입될 수 있도록 정밀하게 제작됩니다.
TEL PROFILE T/C
TEL PROFILE T/C
특징

반도체 확산(Diffusion) 공정용 열전대(T/C)로 Tokyo Electron(TEL) 사의 장비 내에 사용됩니다. 확산 공정은 반도체 웨이퍼에 불순물을 주입하여 전기적 특성을 부여하는 핵심 단계로, 매우 정밀한 온도 제어가 필수적이며 이 때문에 다음과 같은 특징을 가집니다.

  • 고온 내구성 — 확산 공정은 700°C 이상의 고온에서 진행되므로, T/C는 고온에서 장시간 안정적으로 작동해야 하며 이를 위해 세라믹·SIC·QUARTZ 튜브가 사용됩니다.
  • 고정밀도 — 반도체 공정의 수율을 위해 온도를 ±1°C 이내의 오차로 정밀하게 측정해야 합니다.
  • 높은 반응 속도 — 온도 변화를 빠르게 감지하여 장비 제어 시스템에 정확한 피드백을 제공해야 합니다.
  • 오염 방지 — 웨이퍼에 미치는 영향을 최소화하기 위해 공정 챔버 내에서 불순물을 발생시키지 않는 재료로 제작됩니다.
  • 특수 형태 — 장비 내 특정 위치에 정확하게 삽입될 수 있도록 맞춤형으로 제작됩니다.
  • 온도 대역 — 주로 500°C에서 1,200°C 범위의 고온을 측정하는 데 사용되며, 공정 종류에 따라 측정 온도는 달라질 수 있지만 확산 공정의 일반적인 온도 범위에 맞춰 제작됩니다.
R-Type 열전대 특징

R-Type 열전대(T/C)는 백금(Platinum)을 기반으로 한 고온 측정용 열전대로, 다음과 같은 주요 특징을 가집니다.

  • 높은 안정성 및 정확도 — 백금-로듐 합금으로 제작되어 매우 높은 온도 안정성과 정확도를 자랑하며, 장시간 고온에 노출되어도 안정적인 출력을 유지하므로 반도체 및 유리 제조와 같이 정밀한 온도 제어가 중요한 산업 분야에서 표준 온도계로 사용됩니다.
  • 측정 가능 온도 대역 — 일반적으로 0°C ~ 1,600°C의 넓은 온도 범위를 측정할 수 있으며, 연속사용온도 1,200°C 이내의 초고온 환경에서 높은 신뢰성을 보입니다.
  • 내부식성 및 내산화성 — 백금과 로듐은 화학적으로 안정적이며 산화에 강하여, 산화성 분위기나 부식성 가스가 존재하는 환경에서도 사용하기에 적합합니다.
  • 높은 가격 — 백금과 로듐은 희소 금속으로 J, K, T-Type 등 일반적인 열전대에 비해 가격이 매우 높아, 정밀도와 신뢰성이 절대적으로 요구되는 특정 용도에 주로 사용됩니다.
  • 낮은 출력 — 다른 열전대에 비해 mV(밀리볼트) 출력이 낮아, 이러한 귀금속(Pt,Rh) 열전대의 정밀한 측정을 위해서는 고성능의 측정 장비가 필요합니다.
WAFER HEATING PLATE
WAFER HEATING PLATE
용도
  • 온도 센서 교정 및 검증 — 다양한 온도 센서(웨이퍼형, 써모커플, RTD 등)의 정확도를 교정하고 검증하는 데 사용됩니다.
  • 열적 안정성 테스트 — 전자 부품, 반도체 소자, 기타 재료의 열적 안정성을 테스트합니다.
  • 온도 균일도 평가 — 특정 영역 또는 품목의 온도 균일도를 평가합니다.
  • 열처리 공정 — 챔버 내에서 정밀한 온도 제어를 통해 간단한 열처리 공정을 수행합니다.
  • 웨이퍼 테스트 — 웨이퍼의 온도 특성, 열전도율 등을 평가합니다.
특징
  • 정밀한 온도 제어 — PID 제어 등의 기술을 사용하여 매우 정확하고 안정적인 온도 제어가 가능합니다.
  • 균일한 온도 분포 — 챔버 내부의 온도 분포를 균일하게 유지하기 위한 설계가 적용됩니다.
  • 다양한 온도 범위 — 저온에서 고온까지 넓은 온도 범위를 지원합니다.
  • 진동 제어 — 정밀한 측정을 위해 진동을 최소화하는 설계가 적용되었습니다.
  • 데이터 로깅 및 분석 — 온도 변화 데이터를 기록하고 분석하는 기능을 제공합니다.
  • 안전 기능 — 과열 방지, 누전 차단 등 안전 장치가 포함되어 있습니다.
사양
  • 온도 범위 — -50°C ~ 350°C (또는 그 이상, 사용 목적에 따라 다름)
  • 온도 정확도 — ±0.1°C ~ ±0.5°C (또는 그 이하)
  • 온도 균일도 — ±0.5°C ~ ±2°C 이내 (온도영역에 따라 다름)
  • 챔버 크기 — 웨이퍼 크기, 테스트 대상 크기 등에 따라 다양함
  • 제어 방식 — PID 제어
  • 데이터 로깅 — 온도, 시간 등 데이터 기록 및 저장
  • 전원 — 220V/380V 등 (국가별 표준에 따름)
  • 재질 — 스테인리스 스틸(챔버 내부), 알루미늄(열판) 등
장비 특징
  • 히터 플레이트(열판) — 웨이퍼를 올려놓고 균일하게 가열하는 역할을 합니다.
  • 온도 센서 — 정밀한 온도 측정을 위해 고정밀 온도 센서가 내장되어 있습니다.
  • 챔버 — 외부 환경으로부터 영향을 받지 않고, 내부 온도 균일도를 유지하는 역할을 합니다.
  • 제어 장치 — 온도 설정, 데이터 로깅, 안전 기능 등을 제어합니다.
바이메탈 대체 무선열전대온도계
바이메탈 대체 무선열전대온도계
용도
  • 산업 공정 제어 — K 타입 열전대는 넓은 온도 범위(-200°C에서 1100°C까지)를 지원하여 고온 공정이나 동적 온도 변화가 많은 환경에서 유용하며, 제조업·에너지 생산·화학 및 석유화학 처리 등의 온도 모니터링 및 제어에 적합합니다.
  • HVAC 시스템 — 난방, 환기 및 공조 시스템에서 온도 측정 및 조절에 사용되며, 빠른 응답 시간과 내구성 덕분에 신뢰할 수 있는 성능을 제공합니다.
  • 실험실 및 연구 — 정밀한 온도 측정이 필요한 실험실 환경에서도 널리 사용되며, 고온 및 저온 환경 모두에서 안정적인 성능을 발휘합니다.
무선열전대온도계의 장점 및 특징
  • 빠른 응답 속도 — 열전대는 온도 변화에 즉각적으로 반응하며 바이메탈 온도계 대비 신속한 측정이 가능하여, 온도 변화가 빈번한 환경에서 유리합니다.
  • 간단한 구조 — 바이메탈과 같은 구조로 설계되어 설치와 유지보수가 용이하며, 비용 절감과 함께 사용자의 편리함을 제공합니다.
  • 내구성 — 견고한 구조로 되어 있어 산업 환경에서도 잘 견디며, 기계적 충격이나 환경적 요인에 대한 저항력이 높습니다.
  • 정확성 — 바이메탈 온도계 대비 높은 정확도를 가지며 안정적인 측정 결과를 제공하며, 특히 고온에서는 바이메탈 대비 정확도가 우수합니다.

따라서 고온 환경에서는 K 타입 열전대가 더 적합하며, 결론적으로 무선 배터리 타입 계측기와 K 타입 열전대를 결합한 제품은 다양한 산업 분야에서 유용하게 사용될 수 있고, 계측기의 데이터 기록 기능으로 온도 이슈에 대한 모니터링을 강화할 수 있습니다.

Head Type Thermocouple(B type)
Head Type Thermocouple(B type)
사용 용도
  • 금속 가공 및 주조 공정
  • 고온 환경에서의 온도 측정
  • 열처리 및 열분석 장비
  • 발전소 및 화학 공정
온도 사양
  • 측정 범위 — 100°C ~ 1700°C
  • 정확도 — ±0.5%
사용 장비
  • 산업용 오븐
  • 열처리 기계
  • 고온 실험 장비
  • 기타 온도 측정이 필요한 장비
PFA COATED THERMOCOUPLE PROBE
PFA COATED THERMOCOUPLE PROBE
용도

이 제품은 뛰어난 내화학성이 가장 큰 특징이므로, 주로 부식성이 강한 환경에서 안정적인 온도 측정이 필요할 때 사용됩니다.

  • 화학 공장 및 실험실 — 황산, 염산, 질산, 크롬산 등 강산 및 부식성 화합물의 온도를 측정하는 데 적합하며, PFA 코팅이 센서(SUS 쉬스)를 보호하여 침식과 손상을 방지합니다.
  • 표면 처리 및 도금 산업 — 도금액, 에칭액 등 화학 용액의 온도 제어가 필수적인 공정에서 사용됩니다.
  • 폐수 처리 시설 — 부식성이 있는 액체가 흐르는 곳에서 온도 모니터링이 필요할 때 활용됩니다.
제품의 특징 및 장점

PFA 코팅 열전대는 기존의 스테인리스 스틸(SUS) 열전대가 견디기 어려운 환경에 특화되어 다음과 같은 장점을 가집니다.

  • 뛰어난 내화학성 — Perfluoroalkoxy 소재는 불소수지 중에서도 내열성과 내화학성이 매우 뛰어나 황산, 염산, 질산, 크롬산 등 거의 모든 부식성 화학 용액으로부터 내부의 SUS 쉬스를 완벽하게 보호합니다.
  • 고순도 유지 — 코팅 자체가 화학적으로 불활성(inert)이므로, 측정 용액에 오염 물질을 방출하지 않아 고순도가 요구되는 공정에도 적합합니다.
  • 높은 내열성 — PFA는 PTFE(테프론)와 유사하게 내열성이 높아, 비교적 높은 온도에서도 코팅 손상 없이 안정적인 측정이 가능합니다.
  • 견고한 구조 — SUS 쉬스를 기반으로 하므로 기계적 강도가 높아 액체 속에서의 설치 및 사용에 용이하며, PFA 코팅이 얇은 막이 아닌 견고한 보호층 역할을 합니다.
  • 장기간 안정성 — 부식 환경에서 금속 센서의 수명이 짧아지는 문제를 해결하여, 제품 교체 주기를 늘리고 유지보수 비용을 절감하는 데 기여합니다.

이 제품은 열전대의 측정 정밀도와 PFA의 화학적 보호 능력을 결합하여, 위험한 부식성 환경에서 안전하고 신뢰할 수 있는 온도 측정 솔루션을 제공합니다.

WAFER T/C
WAFER T/C
용도
  • 웨이퍼 공정 모니터링 — 반도체 웨이퍼 제조 과정에서 온도 분포를 정확하게 측정하고 모니터링하는 데 사용되며, 각 측정 포인트는 웨이퍼 표면의 특정 지점의 온도를 나타냅니다.
  • 공정 최적화 — 웨이퍼 전체의 온도 균일성을 분석하여 반도체 제조 공정을 최적화하고, 고품질 웨이퍼 생산을 가능하게 합니다.
  • 정밀 온도 측정 — 빠른 응답 속도와 정확한 온도 측정을 통해 반도체 공정의 안정성을 유지하고, 제품 수율을 향상시키는 데 기여합니다.
온도 사양
  • K 타입 열전대 — 일반적으로 -200°C에서 +1260°C까지의 넓은 온도 범위를 측정할 수 있으며, 연속사용온도는 1100°C까지 사용 가능합니다.
  • 정확도 — STANDARD LIMITS: ±2.2°C 또는 ±0.75% / SPECIAL LIMITS: ±1.1°C 또는 ±0.4% (정확도는 사용 환경 및 센서 사양에 따라 달라질 수 있습니다.)
  • 응답 시간 — 매우 짧은 응답 시간을 가지며, 급격한 온도 변화에도 신속하게 대응하여 실시간 온도 모니터링이 가능합니다.
사용 분야
  • 반도체 제조 공정 — 열처리, 박막 증착, 에칭 등 다양한 반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 온도 관리에 필수적입니다.
  • 태양광 산업 — 태양 전지 웨이퍼 제조 공정에서의 온도 모니터링에도 활용됩니다.
  • 연구 개발 — 새로운 반도체 재료 및 공정 개발 시 온도 특성을 분석하고 평가하는 데 사용됩니다.
  • 기타 정밀 온도 제어 시스템 — 정밀한 온도 제어가 필요한 다양한 산업 분야에서 활용될 수 있습니다.
추가적인 특징
  • 얇은 센서 디자인 — 웨이퍼에 부착될 수 있도록 얇고 유연한 디자인을 갖추고 있습니다.
  • 다중 포인트 측정 — 1~49개의 측정 포인트를 통해 웨이퍼 전체의 온도 분포를 동시에 측정할 수 있습니다.
  • 간편한 연결 — 표준 미니 K 타입 커넥터를 사용하여 측정 장비와의 연결이 용이합니다.
Facility

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